Day: November 19, 2025

Nearfield Instruments ลงนามโครงการพัฒนาหลายปีเพื่อยกระดับการตรวจวัดในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ Leave a reply รอตเทอร์ดัม เนเธอร์แลนด์, Nov. 19, 2025 (GLOBE NEWSWIRE) — Nearfield Instruments ผู้นำด้านโซลูชันการควบคุมกระบวนการแบบ 3 มิติ ไม่ทำลายชิ้นงาน และตรวจวัดได้แบบอินไลน์ โดยอาศัยเทคโนโลยีสแกนนิงโพรบ ประกาศเปิดตัวโครงการพัฒนากลยุทธ์ร่วมกันเพื่อเร่งสร้างนวัตกรรมในงานเมโทรโลยีสำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ในฐานะส่วนหนึ่งของความร่วมมือหลายปีนี้ Nearfield Instruments จะนำระบบเรือธงของบริษัท QUADRA ไปติดตั้ง ณ ศูนย์วิจัยและพัฒนาขั้นสูงของ Imec ในเมืองลูเวน ทั้งสององค์กรจะร่วมกันพัฒนาโซลูชันเมโทรโลยีรุ่นใหม่เพื่อตอบโจทย์ความท้าทายสำคัญต่าง ๆ ในห่วงโซ่การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ รวมถึง: เมโทรโลยีสำหรับ High-NA EUV Lithography การพัฒนาและการวิเคราะห์เมโทรโลยีแบบ 3 มิติของวัสดุเรซิสต์สำหรับ High-NA EUV โดยใช้โหมดการถ่ายภาพสัดส่วนสูง (High-Aspect-Ratio: HAR) ที่เป็นเอกสิทธิ์ของ Nearfield (FFTP) เพื่อช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของเครื่องสแกนเนอร์ การวัดลักษณะเฉพาะแบบ 3 มิติของอุปกรณ์ลอจิกขั้นสูง ช่วยให้สามารถวิเคราะห์คุณลักษณะของโครงสร้างที่มีสัดส่วนสูงได้อย่างแม่นยำ เช่น ทรานซิสเตอร์แบบ Complementary Field-Effect Transistors (CFETs) ผ่านโหมดการถ่ายภาพด้านข้างที่เป็นเอกสิทธิ์ของระบบ QUADRA เมโทรโลยีสำหรับการบูรณาการแบบหลากหลายแพลตฟอร์มในรูปแบบ 3 มิติ ยกระดับความสามารถด้านเมโทรโลยีและการตรวจสอบในงานบูรณาการ 3 มิติและการเชื่อมแบบไฮบริด (เวเฟอร์ต่อเวเฟอร์, ไดต่อเวเฟอร์) การประยุกต์ใช้งานประกอบด้วย การตรวจสอบแผ่นสัมผัสทองแดงและความขรุขระของไดอิเล็กทริก การกัดกร่อน การยุบตัว การถ่ายภาพทั้งแผ่นเวเฟอร์ และขอบเวเฟอร์ล้น ซึ่งเสริมประสิทธิภาพด้วยเทคโนโลยี Ultra-Large Scanning Area (ULSA) ของ Nearfield Instruments ที่ผสานการสแกนพื้นที่ขนาดใหญ่เข้ากับความละเอียดระดับนาโนเมตร “ความร่วมมือกับ Imec ช่วยให้เราก้าวข้ามขีดจำกัดของสิ่งที่เป็นไปได้ในการควบคุมกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์” ดร. Hamed Sadeghian ซีอีโอของ Nearfield Instruments กล่าว “เรากำลังร่วมกันแก้ไขความท้าทายด้านเมโทรโลยีครั้งสำคัญ ตั้งแต่การตรวจวัด